如今,多铁性氧化物薄膜在光电器件、信息存储、逻辑运算中都有非常高的潜在价值,并且对于未来高密度、低能耗的电子器件都很重要的作用。而清洗在薄膜制作的每一个过程都非常重要,过多的杂质的衬底会对同时具有面内面外极化分量的四方相或菱形相氧化物薄膜的铁弹性应变有束缚作用,使得氧化物薄膜中的应变无法实现有磁性的有效调控,这阻碍了未来以应变为媒介的氧化物与金属异质结以薄膜结构的方式在半导体衬底上的集成。
其次,如今常用的清洗液主要由以下几种盐酸与双氧水混合、硫酸与双氧水混合、氨水与双氧水混合以及氢氟酸。而对于光刻胶等有机物的清除过程中效果最好的是氨水与双氧水的混合,且本实验的材料为多铁性氧化物所以不适宜用酸溶液来清理。所以实验使用了氨水与双氧水 3:1 的比例进行探究的。
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