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砷化镓抛光片清洗技术

[导读]本文以半导体单晶抛光片清洗原理为入手点,结合铬、砷化镓、硅等半导体单晶抛光片污染物质来源,对半导体单晶抛光片清洗技术进行了简单的分析,以便为半导体单晶抛光片清洗效率的提升提供依据。在实际清洗处理中,常采用物理、或化学反应的方法去除;有机物主要来源于清洗容积、机械油、真空脂、人体油脂、光刻胶等方面。

在砷化镓单晶体抛光处理之后,形成的自然氧化膜内部结构主要有三氧化二砷、五氧化二砷、三氧化二镓等物质。在实际应用过程中,相较于砷而言,镓的化学性质更加活泼,因此在砷化镓单晶抛光片中表层氧化物质主要为砷氧化物。而由于砷自然氧化层厚度较大,其实际晶体抛光片完整性也具有一定缺失。因此在砷化镓单晶抛光片清洗过程中,主要针对其表层三氧化二砷、三氧化二镓氧化物。首先可采用氢氧化钾溶液,通过氢氧根离子与三氧化二镓、三氧化二砷、五氧化二砷的反应,可有效去除砷化镓表层自然氧化物质。由于在实际清除过程中,氢氧化钾溶液与砷化镓在持续的发生反应,其可在砷化镓抛光片外层形成亲水表层,在不损伤抛光片表层结构的情况下,将砷化镓表层颗粒有效去除。然后可采用臭氧水与紫外光进行清除处理。在紫外光的催化作用下,臭氧水可与砷化镓表层物质发生反应,从而形成稳定的活化能。最后在砷化镓表层物质状态变化的基础上,可采用1000kHz 超声波清洗,结合稀硫酸溶液,为砷化镓表层物质去除营造一个良好的酸性环境,便于砷化镓表层金属物资及其他有机吸附杂质的有效去除。


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